[19p-C42-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[19p-C42-12] k・p摂動法による低In組成領域におけるInGaNの変形ポテンシャルの決定

〇森 恵人¹、山口 敦史²、市川 修平¹、小島 一信¹ (1.阪大院工、2.金沢工大院工)

キーワード：

InGaN、変形ポテンシャル、偏光

本研究では、InGaN量子井戸における偏光特性を正確に予測するために、k・p摂動法と数多くのΔEの実験値を基に、InN(特に低In組成領域におけるInGaN)の変形ポテンシャルの決定を行った。その結果、得られたInNの変形ポテンシャルは、D₃=2.8 eV, D₄=-9.0 eV, D₅=-0.4 eV, D₆=-11.5 eVとなった。