[19p-C42-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

14:00 〜 14:15

[19p-C42-5] THz-TDSEによるMgイオン注入したGaN単結晶の電気特性評価(IV)

〇藤井 高志^1,2、王 丁丁¹、出浦 桃子¹、岩本 俊志²、須山 篤志³、荒木 努¹ (1.立命館大学、2.日邦プレシジョン、3.イオンテクノセンター)

キーワード：

テラヘルツ、イオン注入、窒化ガリウム

GaNへのMgイオン注入後の活性化アニールを行う場合にAlN保護膜を形成して大気圧下で可能かどうか検討を行っている。その検証のためにTHz-TDSEにより、非接触・非破壊でかつ保護膜を剥離せずに電気特性を測定が可能かの検討を行っている。今回はイオン注入層の厚みを確定するためにボックスタイプ形状のMgイオン注入層を形成したサンプルを作製してTHz-TDSE測定を実施した。