講演情報
[19p-P03-2]斜入射反応性スパッタリング法により作製した微細構造化Cu2OおよびCuO薄膜の光学的特性評価
〇坂本 大和1、井上 泰志1、高井 治2 (1.千葉工大院工、2.関東学院大材料表面研)
キーワード：
吸着誘起型エレクトロクロミック現象、斜入射反応性スパッタリング法、離散的柱状構造
吸着誘起型エレクトロクロミック(AiEC)現象は，電解質溶液中での分極により，表面吸着物の交代とともに伝導帯のキャリア密度が増減し，光学ギャップが変化することに起因する．本研究では，p型半導体特性を示す酸化銅薄膜を作製し，その光学的特性を調査することを目的とした．酸化銅薄膜の作製には，RFマグネトロンスパッタリング装置を使用し,作製膜をSEM，XRD，分光光度計を用いて評価した．
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