[19p-P05-1~33] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-P05-11] ε-GaFeO₃基板上κ-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜の圧電応答力顕微鏡測定

〇宮戸 祐治¹、大西 晃佑¹、山田 啓文¹、西中 浩之² (1.龍谷大 先端理工、2.京都工繊大 工芸)

キーワード：

酸化ガリウム、圧電応答力顕微鏡、半導体

ミストCVD法でε-GaFeO₃基板上にエピタキシャル成長させたκ-Ga₂O₃薄膜に対し、接触共振圧電応答力顕微鏡(CR-PFM)によりポーリング処理前後の分極状態を測定した。また、接触共振原子間力顕微鏡(CR-AFM)により試料局所の粘弾性も測定し、両者の画像を比較した。これらの結果から強誘電性を有すること、初期状態で自発分極していることも確認された。