[19p-P05-1~33] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-P05-18] /ce{Ar + N2}混合雰囲気で成膜したN添加ZnO膜の特性評価

〇大森 陽生¹、山田 祐美加^1,2、舩木 修平¹、山田 容士¹ (1.島根大学、2.(株)コベルコ科研)

キーワード：

酸化亜鉛、窒素添加、p型

LEDや半導体レーザー等に用いられているITOの代替材料として注目されている酸化亜鉛(ZnO)は、Zn添加などにより簡単にドナー性欠陥を生成し、n型化する。一方、アクセプターを添加すると、ドナー性欠陥を生成し、キャリアの打ち消しが発生する(自己補償効果)ため、安定したp型化は困難である。本研究では、ZnOにドナーとアクセプターを同時添加することでZnOの特性がどのように変化するのか調査を行った。