[19p-P05-1~33] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-P05-20] アニーリングによるTiドープZnO透明導電薄膜の特性評価

〇宇津 直哉¹、相川 慎也²、鷹野 一朗² (1.工学院大院、2.工学院大工)

キーワード：

透明導電膜、酸化亜鉛、チタン

ITOの透明導電膜だけでなく、ワイドバンドギャップを持ち，不純物ドナーの添加で縮退するn型半導体として，酸化亜鉛(ZnO)の研究も盛んに行われている。本研究では、反応性スパッタリング法により、ZnOにTiをドープし薄膜を作製した。TiドープZnO薄膜は室温で形成し、アニーリングによって全ての薄膜は、透過率がZnOよりも5ポイント上昇し85％になった。また、抵抗率も大きく低下させることができた。