[19p-P05-1~33] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-P05-21] 反応性スパッタリングで作製したZrドープZnO薄膜の諸特性

〇(M1C)松本 幸祐¹、鷹野 一朗² (1.工学院大院、2.工学院大工)

キーワード：

透明導電膜、半導体、酸化亜鉛

透明で高い導電率を持つ酸化物は，幅広い分野で使用されており透明電極材料として不可欠な物質となっている。透明導電膜には，高い光透過性と電気導電性を併せ持つITOが頻繁に使用されているが，含まれるInはレアメタルであり供給が不安定であるため代替品の研究が盛んに行われている。本研究では，ZnOをベースとして，ZnOと同様の結晶構造及び電気陰性度を持つZrをドープすることで，透明導電膜としての特性評価を行った。