[19p-P05-1~33] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-P05-23] アルミニウム薄膜を用いたIn-Ga-Zn-Oの金属誘起結晶化

〇西村 宥紀¹、髙橋 崇典¹、星川 輝¹、川戸 勇人¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大)

キーワード：

酸化物半導体、金属誘起結晶化