[19p-P05-1~33] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-P05-25] 非晶質Ga-Sn-O TFTのトランジスタ特性のスパッタ成膜投入電力依存性

〇(M1)篠田 太陽¹、木村 睦^1,2、河西 秀典² (1.龍谷大院先端理工、2.革材プロ研センター)

キーワード：

薄膜トランジスタ、ガリウム-スズ-酸化物半導体

本研究では、Ga-Sn-O（GTO）を用いたTFTのトランジスタ特性の投入電力依存性について報告する。結果として、成膜時の投入電力が上昇するにつれ、移動度とサブスレッショルド・スィングの向上が見られた。また閾値電圧を比較すると、180 Wで成膜した場合に一番０に近づいた。成膜時の投入電力が上がると成膜速度が上がるため不純物の取り込みが少なくなるが欠陥が生成される可能性を示唆している。