[19p-P05-1~33] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-P05-5] α-Al₂O₃上及びアモルファスSiO₂上へのMist CVD法In₂O₃成膜における原料溶液添加塩酸濃度依存性

〇(M1)石川 諒¹、山本 拓実¹、林 佑哉¹、相川 慎也¹、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹、山口 智広¹ (1.工学院大)

キーワード：

半導体、酸化インジウム、Mist CVD