[19p-P05-1~33] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-P05-9] 高エネルギーH,Heイオン照射したβ-Ga₂O₃エピ基板の欠陥準位評価

〇中野 由崇¹、伊藤 成志² (1.中部大工、2.住重アテックス)

キーワード：

酸化ガリウム、欠陥準位、イオン照射

H, Heを高エネルギーイオン照射したβ-Ga₂O₃(001)エピ基板のバンドギャップ内には少なくとも5つの欠陥準位(T1:Ec-1.96eV, T2:Ec-2.78eV, T3:Ec-3.90eV, T4:Ec-4.21eV, T5:Ev+4.49eV)が存在することを確認した。as-received状態と比較すると、H, Heイオン照射ではT1～T5準位が追加導入されていることが分かった。