[19p-P09-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19p-P09-10] InSb/Ga_0.22In_0.78Sb複合チャネルHEMT構造における電子移動度の向上

〇大場 達久¹、神内 智揮¹、海老原 怜央¹、中島 渉¹、渡邊 一世^2,1、山下 良美²、町田 龍人²、原 紳介²、笠松 章史²、遠藤 聡¹、藤代 博記¹ (1.東理大先進工、2.情報通信研究機構)

キーワード：

半導体、高電子移動度トランジスタ(HEMT)、化合物半導体