[19p-P09-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[19p-P09-11] ダブルドープInSb/Ga_0.22In_0.78Sb複合チャネルHEMT構造の電気的特性

〇(M1C)中島 渉¹、神内 智輝¹、海老原 怜央¹、大場 達久¹、渡邉 一世²、町田 龍人²、山下 良美²、原 紳介²、笠松 章史²、遠藤 聡¹、藤代 博記¹ (1.東理大先進工、2.情報通信研究機構)

キーワード：

半導体