[20a-A22-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

10:00 〜 10:15

[20a-A22-5] TEM観察を用いたTiO₂ (001)基板上ルチル型GeO₂薄膜の構造解析

〇(D)高根 倫史¹、小西 伸弥¹、大多 亮²、早坂 祐一郎³、若松 岳¹、磯部 優貴¹、金子 健太郎⁴、田中 勝久¹ (1.京大、2.北大、3.東北大、4.立命館大)

キーワード：

ルチルGeO2、透過電子顕微鏡

4.7 eVものバンドギャップを有し，両極性ドーピングが可能と予測されるルチル型GeO₂（r-GeO₂）は，次々世代ワイドバンドギャップ半導体として注目されている．本研究では，TEM観察を用いて，r-TiO₂（001）基板上r-GeO₂薄膜における構造特性を解析した．