2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会
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9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[20a-A24-2]GaN/AlN 共鳴トンネルダイオードのヘテロ界面急峻性の改善

〇高橋 一嘉1、山田 悠斗1、渡邊 浩崇2、本田 善央2,3,4、天野 浩2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMASS、3.名大Dセンター、4.名大IAR)
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キーワード：

共鳴トンネルダイオード

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