[20a-A24-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[20a-A24-2] GaN/AlN 共鳴トンネルダイオードのヘテロ界面急峻性の改善

〇高橋 一嘉¹、山田 悠斗¹、渡邊 浩崇²、本田 善央^2,3,4、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMASS、3.名大Dセンター、4.名大IAR)

キーワード：

共鳴トンネルダイオード