セッション詳細

[20a-A24-1~9]15.4 III-V族窒化物結晶

2024年9月20日(金) 9:00 〜 11:30
A24 (朱鷺メッセ2F)
関口 寛人(豊橋技科大)、 上野 耕平(東大)

[20a-A24-1]格子整合AlInN上GaNの逆テーパー型メサ形成の検討

〇大島 孝仁1、井村 将隆1、大島 祐一1 (1.NIMS)
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[20a-A24-2]GaN/AlN 共鳴トンネルダイオードのヘテロ界面急峻性の改善

〇高橋 一嘉1、山田 悠斗1、渡邊 浩崇2、本田 善央2,3,4、天野 浩2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMASS、3.名大Dセンター、4.名大IAR)
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[20a-A24-3]縦型GaN pnダイオードの逆バイアス下でのリークメカニズムの検討

〇隅 智亮1、半田 浩之1、小川 雅弘1、鶴見 直大1、滝野 淳一1、田村 聡之1、岡山 芳央1 (1.パナソニックホールディングス株式会社)
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[20a-A24-4]QST基板上へのBGaN成長におけるバッファ層の影響評価

〇林 敦景1、西川 瞬1、松本 倖汰2、伊藤 範和2、田中 岳利2、中原 健2、井上 翼1、青木 徹3、中野 貴之1,3 (1.静大院工、2.ローム株式会社、3.静大電研)
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[20a-A24-5]長波長中性子照射によるSi基板及びQST基板上に作製したBGaN検出器の中性子検出特性評価

〇安藤 光佑1、西川 瞬1、櫻井 辰大1、川崎 晟也2、日野 正裕4、本田 善央5、天野 浩5、松本 倖汰6、伊藤 範和6、田中 岳利6、中原 健6、井上 翼1、青木 徹3、中野 貴之1,3 (1.静岡大、2.名古屋大、3.静岡大電研、4.京都大複合研、5.名古屋大IMaSS、6.ローム株式会社)
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[20a-A24-6]PEDOT:PSSを正孔輸送層に用いたGaInN系緑色LEDの作製

〇(M1)坂本 龍星1、加藤 悠真1、伊藤 涼太郎1、上山 智1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、松山 絵美2、鈴木 敦志2 (1.名城大学、2.E&Eエボリューション(株))
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[20a-A24-7]下部トンネル接合を有する500 nm GaInN端面発光レーザーダイオード

〇東 莉大1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、上山 智1 (1.名城大 理工)
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[20a-A24-8]円偏光InGaN LED構造の作製と特性評価

〇村田 雄生1、市川 修平2,1、戸田 晋太郎3、藤原 康文4,5,6、小島 一信1 (1.阪大院工、2.阪大電顕センター、3.アルバック協働研、4.立命館大学総合科学技術研究機構、5.阪大産研、6.阪大エマージングサイエンスデザインR3センター)
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[20a-A24-9]【講演者欠席】発光・受光兼用ダイオードの提案と作製指針

〇安藤 勇歩1、市川 修平1,2、小島 一信1 (1.阪大院工、2.阪大電顕センター)
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