[20a-A24-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[20a-A24-7] 下部トンネル接合を有する500 nm GaInN端面発光レーザーダイオード

〇東 莉大¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、上山 智¹ (1.名城大　理工)

キーワード：

半導体、レーザーダイオード、下部トンネル接合

下部トンネル接合コンタクトを用いた発光素子において、注入効率が改善することが期待されている。近年、下部トンネル接合を用いた青色端面発光LDにおいて、波長450 nm、しきい値電流密度3.4 kA/cm²の室温発振が報告されている。一方、緑色領域での下部トンネル接合を用いたレーザー動作の報告はない。本研究では、下部トンネル接合を有し、波長500 nm以上で動作する端面発光LDを作製し、評価した。