[20a-A24-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[20a-A24-8] 円偏光InGaN LED構造の作製と特性評価

〇村田 雄生¹、市川 修平^2,1、戸田 晋太郎³、藤原 康文^4,5,6、小島 一信¹ (1.阪大院工、2.阪大電顕センター、3.アルバック協働研、4.立命館大学総合科学技術研究機構、5.阪大産研、6.阪大エマージングサイエンスデザインR3センター)

キーワード：

円偏光、メタサーフェス、InGaN

我々はこれまでに、直線偏光したInGaN 発光ダイオード(LED)と、一次元周期構造からなるメタサーフェスを組み合わせた円偏光素子を提案し、数値計算により、上記デバイスが高効率動作可能であることを示してきた。本研究では強い直線偏光が得られる半極性InGaN 量子井戸とメタサーフェスを組み合わせたLED構造を実際に作製し、円偏光発光を確認したので報告する。