[20a-A31-1~11] 17.3 層状物質

11:45 〜 12:00

[20a-A31-11] 異方的な単層MoS₂サスペンド構造の励起子特性評価

〇(M1)青柳 上¹、小久保 大地¹、清水 歩¹、茂木 裕幸¹、嵐田 雄介¹、吉田 昭二¹、武内 修¹、重川 秀実¹ (1.筑波大数理)

キーワード：

励起子、TMDCs、サスペンド構造

近年、励起子の活用が考えられており、先行研究では、遷移金属ダイカルゴゲナイド二次元半導体中で生じる励起子を用いて、励起子トランジスタ動作が達成された。しかし、励起子伝搬制御の先行研究では基板上でのみ行われており、TMDC-基板界面のトラップ準位や不純物の影響を排除しきれない問題があった。そこで本研究では、SiO₂/Si基板中に形成した異方的な穴あきパターン上にMoS₂を転写し、サスペンドMoS₂における励起子の特性評価を行った。