セッション詳細
[20a-A31-1~11]17.3 層状物質
2024年9月20日(金) 9:00 〜 12:00
A31 (朱鷺メッセ3F)
寺澤 知潮(原研)
[20a-A31-1]SiC 基板上に直接成長したWS2/グラフェンヘテロ構造の構造解析
〇小川 友以1、Erkilic Ufuk1、Wang Shengnan1、谷保 芳孝1 (1.NTT 物性科学基礎研)
[20a-A31-2]Quasi-one-dimensional moiré in large-angle twisted bilayer WTe2
〇Xiaohan Yang1, Limi Chen2, Yijin Zhang1, Kohei Aso2, Wataru Yamamori3, Rai Moriya1, Kenji Watanabe4, Takashi Taniguchi4, Takao Sasagawa3, Yukiko Yamada-Takamura2, Oshima Yoshifumi2, Tomoki Machida1 (1.IIS Univ. Tokyo, 2.JAIST, 3.Tokyo Tech., 4.NIMS)
[20a-A31-4]MOCVD-MoS2/sapphireの結晶方位に界面層が与える影響のTEM解析
〇狩野 絵美1、安野 寿輝1、楊 旭1、佐久間 芳樹2、五十嵐 信行1 (1.名古屋大、2.NIMS)
[20a-A31-5]ポリマースタンプ押付条件によるバブル構造発生に関する検討
〇(M1)小久保 大地1、清水 歩1、青栁 上1、茂木 裕幸1、嵐田 雄介1、吉田 昭二1、武内 修1、重川 秀実1 (1.筑波大数理)
[20a-A31-6]金を用いた剥離法がグラフェン等層状物質の結晶品質に与える影響
〇濱田 葵生1,2、唐 超1,3、田村 紘一1,2、佐藤 昭1、尾辻 泰一1 (1.東北大通研、2.東北大工学研究科、3.東北大学際研)
[20a-A31-8]Atomic Layer Etching of the Quantum Spin Hall Insulator WTe2 Towards the Study of Topological Josephson Junction Devices
〇(P)Michael Daniel Randle1, Russell Deacon1,3, Manabu Ohtomo2, Masayuki Hosoda2, Kenji Watanabe4, Takashi Taniguchi5, Shota Okazaki6, Takao Sasagawa6, Kenichi Kawaguchi2, Shintaro Sato2, Koji Ishbashi1,3 (1.Advanced Device Laboratory, RIKEN, 2.Fujitsu Research, Fujitsu Ltd., 3.RIKEN Center for Emergent Matter Science (CEMS), 4.Research Center for Electronic and Optical Materials, NIMS, 5.Research Center for Materials Nanoarchitectonics, NIMS, 6.Laboratory for Materials and Structures, TIT)
[20a-A31-9]ヤヌスTMDの空間選択パターニング手法の開発
〇畢 定坤1,2、盧 衛子1,2、青木 颯馬1,2、孫 田依姍1,2、小倉 宏斗1,2、加藤 俊顕1,2 (1.東北大院工、2.東北大材料科学高等研究所)
[20a-A31-10]W6Te6原子細線への金属原子挿入と光学特性
〇(D)夏井 隆佑1、中西 勇介1、劉 崢2、グエン フン タン3、林 永昌2、遠藤 尚彦1、末永 和知4、齋藤 理一郎3、宮田 耕充1 (1.都立大理、2.AIST、3.東北大理、4.阪大産研)
[20a-A31-11]異方的な単層MoS2サスペンド構造の励起子特性評価
〇(M1)青柳 上1、小久保 大地1、清水 歩1、茂木 裕幸1、嵐田 雄介1、吉田 昭二1、武内 修1、重川 秀実1 (1.筑波大数理)