[20a-A31-1~11] 17.3 層状物質

10:45 〜 11:00

[20a-A31-7] 層状半導体GeS₂のレーザー光酸化パターニング

〇(M2)田原 匠陽¹、上野 啓司²、野内 亮¹ (1.大阪公立大院工、2.埼玉大院理工)

キーワード：

二次元半導体、GeS2、レーザーパターニング

二次元半導体のパターニングは、実用化に向けた形状加工に必須となる技術である。本講演では、二次元半導体であるGeS₂に対する、レーザー光による局所的な光酸化と、生成されたGe酸化物の水によるエッチングについて報告する。これは、従来広く用いられているリソグラフィープロセスに基づくものとは異なり、プロセスやレジスト残渣による悪影響、スループットの低さを気にする必要のないパターニング技術となり得る。