セッション詳細

[20a-P06-1~6]13.3 絶縁膜技術

2024年9月20日(金) 9:30 〜 11:30
P06 (展示ホールA)

[20a-P06-1]Al2O3/SnOx/SiO2構造における界面ダイポール変調機構の解明

〇桐原 芳治1、三河 空斗1、三浦 宏太1、吉田 智貴1、伊藤 俊一1、保井 晃2、石川 亮佑1、野平 博司1 (1.都市大、2.高輝度光科学研究センター)
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[20a-P06-2]UV-Ozone処理したSiO2上にALD法で作製した界面ダイポール変調構造の動作実証

〇三河 空斗1、桐原 芳治1、三浦 宏太1、吉田 智貴1、保井 晃2、石川 亮佑1、野平 博司1 (1.東京都市大学、2.高輝度光科学研究センター)
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[20a-P06-3]ALD法を用いたAl2O3/GeO2膜にUV-Ozone処理が与える影響

〇吉田 智貴1、桐原 芳治1、三河 空斗1、石川 亮佑1、野平 博司1 (1.東京都市大学)
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[20a-P06-4]オゾン酸化によるAl2O3/Ge MOS界面についての研究

〇高橋 大輝1、青木 伸之1、柯 梦南1 (1.千葉大工)
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[20a-P06-5]SiNx膜とSiOx膜中のイオン・分子の移動の障壁

〇奥 友希1、戸塚 正裕1、佐々木 肇1 (1.三菱電機)
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[20a-P06-6]水分(H2O)蒸気を添加したNH3ガスによる低温酸化Si膜の構造と残留OH基量変化

〇堀田 將1 (1.北陸先端大)
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