[20a-P06-1~6] 13.3 絶縁膜技術

[20a-P06-2] UV-Ozone処理したSiO₂上にALD法で作製した界面ダイポール変調構造の動作実証

〇三河 空斗¹、桐原 芳治¹、三浦 宏太¹、吉田 智貴¹、保井 晃²、石川 亮佑¹、野平 博司¹ (1.東京都市大学、2.高輝度光科学研究センター)

キーワード：

界面ダイポール変調、不揮発性メモリ、電圧印加HAXPES

近年、アモルファスAl2O3/原子層厚TiOx/SiO2スタック構造で界面ダイポール変調(Interface Dipole Modulation: IDM)が観測された。IDMデバイス作製のためには、原子層膜厚の均一性と正確な膜厚制御が必要なため、Atomic Layer Deposition (ALD) 法が有利である。最近、熱酸化-SiO2表面が化学的に不活性なために生じるALD膜の成膜遅れと不均一性は、UV-Ozone (UVO) 処理により改善されることが報告された。本研究は、UVO処理した熱酸化-SiO2膜上にALD法でAl2O3/TiOx/SiO2/n-Si構造試料を作製しCapacitance-Voltage測定と硬X線光電子分光法測定で評価した。