[20a-P06-1~6] 13.3 絶縁膜技術

[20a-P06-3] ALD法を用いたAl₂O₃/GeO₂膜にUV-Ozone処理が与える影響

〇吉田 智貴¹、桐原 芳治¹、三河 空斗¹、石川 亮佑¹、野平 博司¹ (1.東京都市大学)

キーワード：

UVOzone処理、原子層堆積法

最近、Atomic Layer Deposition(ALD)前にUV-Ozone(UVO)処理を行うことで堆積遅れが起こらず、かつ良好な表面ラフネスが得られることが報告されたが、熱酸化SiO₂の場合以外ではまだ調べられていない。本研究ではGe基板を用いてのIDMデバイス作製のために、酸化膜GeO₂/Ge構造にUVO処理を行い、ALD法でAl₂O₃を堆積した際の堆積レートなどへの影響を調べた。