[20a-P06-1~6] 13.3 絶縁膜技術

[20a-P06-5] SiN_x膜とSiO_x膜中のイオン・分子の移動の障壁

〇奥 友希¹、戸塚 正裕¹、佐々木 肇¹ (1.三菱電機)

キーワード：

耐湿性、シリコン窒化膜、分子軌道計算

保護膜の耐湿性劣化へのイオン・分子の影響を保護膜中のイオン・分子の格子間・空孔間移動（ジャンプ）の観点で分析した。イオン・分子の半径から考えると、SiN_x膜のほうが高原子密度なため、格子間位置では短い格子間距離が障壁の形成を妨げる一方で、空孔位置では周辺原子密度が高く、大きい半径のイオンほど強いボンドを形成し、隣のサイトにジャンプするための大きな障壁が形成されることが分かった。