[20a-P06-1~6] 13.3 絶縁膜技術

[20a-P06-6] 水分(H₂O)蒸気を添加したNH₃ガスによる低温酸化Si膜の構造と残留OH基量変化

〇堀田 將¹ (1.北陸先端大)

キーワード：

酸化Si膜、低温作製、OH

堆積酸化Si膜はより低温での形成が望まれるが、膜中には多量のOH成分が残留するため、絶縁性が著しく悪い。これに対して我々は、シリコーンオイルとオゾンによりSi基板上に190^oCで堆積した酸化Si膜を、効果があると報告しているNH₃+N₂ガスにH₂O蒸気を添加することで、添加無しのものに比べて残留OH基量のより低減と比較的大きな構造変化を観測した。アニール温度は、約130℃、時間は60分である。