[20p-A22-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13:00 〜 13:15

[20p-A22-1] [第56回講演奨励賞受賞記念講演] Ni/β-Ga₂O₃ショットキー障壁高さの温度依存性の起源：温度上昇に伴うβ-Ga₂O₃価電子帯上端の上昇と伝導帯底の低下

〇棟方 晟啓¹、佐々木 公平²、江間 研太郎²、中野 義昭¹、小林 正起¹、前田 拓也¹ (1.東大工、2.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：

酸化ガリウム、障壁高さ、ショットキー

これまで我々は、β-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオード(SBD)の障壁高さの温度依存性解析において、移動度の影響を考慮することで、I-V特性、C-V特性、IPEによる光電流測定から広い温度範囲で一貫した温度依存性を得られたことを報告した。また、XPSで価電子帯上端(VBM)のエネルギーの温度変化も調べ報告した。本発表では、障壁高さの温度係数とVBMの温度依存性について定量的に議論する。