セッション詳細
[20p-A22-1~13]21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
2024年9月20日(金) 13:00 〜 16:30
A22 (朱鷺メッセ2F)
川原村 敏幸(高知工科大)
[20p-A22-1][第56回講演奨励賞受賞記念講演] Ni/β-Ga2O3ショットキー障壁高さの温度依存性の起源:温度上昇に伴うβ-Ga2O3価電子帯上端の上昇と伝導帯底の低下
〇棟方 晟啓1、佐々木 公平2、江間 研太郎2、中野 義昭1、小林 正起1、前田 拓也1 (1.東大工、2.ノベルクリスタルテクノロジー)
[20p-A22-3]液相エピタキシー法によるSnドープβ-Ga2O3エピタキシャル膜の育成
〇陳 智ジン1、田所 弘晃1、大下倉 太朗1、宮本 美幸1、印南 享1、嘉村 輝雄1 (1.三菱ガス化学)
[20p-A22-4]HVPE 法による(011)面 β-Ga2O3基板上のホモエピタキシャル成長
〇江間 研太郎1、林 家弘1、上田 悠貴1、佐々木 公平1、倉又 朗人1 (1.ノベルクリスタルテクノロジー)
[20p-A22-5]β-Ga2O3 HVPEエピウエハの活性化アニール条件検討
〇林 家弘1、尾林 賢郷1、西河 巴賀1、江間 研太郎1、山下 佳弘1、佐々木 公平1、倉又 朗人1 (1.ノベルクリスタルテクノロジー)
[20p-A22-7]垂直ブリッジマン法による β-Ga2O3 基板結晶のX 線トポグラフィによる欠陥解析
〇山口 博隆1、加藤 有香子1、五十嵐 拓也2、上田 悠貴2、輿 公祥2、渡辺 信也2、山腰 茂伸2、倉又 朗人2 (1.産総研、2.(株)ノベルクリスタルテクノロジー)
[20p-A22-9]MBE 法による NiO/β-Ga2O3 ヘテロ接合技術の開発
〇山口 博隆1、反保 衆志1、永井 武彦1、中田 義昭2、佐々木 公平2 (1.産総研、2.(株)ノベルクリスタルテクノロジー)
[20p-A22-11]C面サファイア基板上選択成長α-Ga2O3の発光特性
〇神野 莉衣奈1、池 尙玟2、Pholsen Natthajuks1、大槻 秀夫1、岩本 敏1,2 (1.東大先端研、2.東大生産研)
[20p-A22-12]可視光領域におけるシングルモード α-Ga2O3導波路の作製と光導波の観測
〇(M2)飯嶋 航大1、大槻 秀夫1、池 尙玟2、神野 莉衣奈1,3、深津 晋3、岩本 敏1,2 (1.東大先端研、2.東大生産研、3.東大院総合文化)
[20p-A22-13]酸化ガリウムを用いたフォトニック結晶ナノビーム共振器の設計
〇全 濟旭1、飯嶋 航大1、原田 直1、池 尙玟2、神野 莉衣奈1、岩本 敏1,2 (1.東大先端研、2.東大生産研)