セッション詳細

[20p-A22-1~13]21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2024年9月20日(金) 13:00 〜 16:30
A22 (朱鷺メッセ2F)
川原村 敏幸(高知工科大)

[20p-A22-1][第56回講演奨励賞受賞記念講演] Ni/β-Ga2O3ショットキー障壁高さの温度依存性の起源:温度上昇に伴うβ-Ga2O3価電子帯上端の上昇と伝導帯底の低下

〇棟方 晟啓1、佐々木 公平2、江間 研太郎2、中野 義昭1、小林 正起1、前田 拓也1 (1.東大工、2.ノベルクリスタルテクノロジー)
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[20p-A22-2]LiNbO3基板と格子整合可能なα-(In, Fe)2O3とα-(In, Ga)2O3の薄膜成長

〇島添 和樹1、西中 浩之1 (1.京都工繊電子)
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[20p-A22-3]液相エピタキシー法によるSnドープβ-Ga2O3エピタキシャル膜の育成

〇陳 智ジン1、田所 弘晃1、大下倉 太朗1、宮本 美幸1、印南 享1、嘉村 輝雄1 (1.三菱ガス化学)
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[20p-A22-4]HVPE 法による(011)面 β-Ga2O3基板上のホモエピタキシャル成長

〇江間 研太郎1、林 家弘1、上田 悠貴1、佐々木 公平1、倉又 朗人1 (1.ノベルクリスタルテクノロジー)
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[20p-A22-5]β-Ga2O3 HVPEエピウエハの活性化アニール条件検討

〇林 家弘1、尾林 賢郷1、西河 巴賀1、江間 研太郎1、山下 佳弘1、佐々木 公平1、倉又 朗人1 (1.ノベルクリスタルテクノロジー)
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[20p-A22-6]β-Ga2O3結晶のOVPE成長における熱力学計算を用いた成長速度制御

〇白石 智裕1、今西 正幸1、細川 敬介1、宇佐美 茂佳1、森 勇介1 (1.阪大院工)
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[20p-A22-7]垂直ブリッジマン法による β-Ga2O3 基板結晶のX 線トポグラフィによる欠陥解析

〇山口 博隆1、加藤 有香子1、五十嵐 拓也2、上田 悠貴2、輿 公祥2、渡辺 信也2、山腰 茂伸2、倉又 朗人2 (1.産総研、2.(株)ノベルクリスタルテクノロジー)
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[20p-A22-8]MOCVD 法で成膜した(001)面 β-Ga2O3の縦型パワーデバイス実証

〇江間 研太郎1、佐々木 公平1、倉又 朗人1 (1.ノベルクリスタルテクノロジー)
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[20p-A22-9]MBE 法による NiO/β-Ga2O3 ヘテロ接合技術の開発

〇山口 博隆1、反保 衆志1、永井 武彦1、中田 義昭2、佐々木 公平2 (1.産総研、2.(株)ノベルクリスタルテクノロジー)
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[20p-A22-10]β-Ga2O3 における塩素系ドライエッチングによるキャリアプロファイル異常とその可動性

〇上村 崇史1、東脇 正高1,2 (1.情通機構、2.大阪公立大院工)
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[20p-A22-11]C面サファイア基板上選択成長α-Ga2O3の発光特性

〇神野 莉衣奈1、池 尙玟2、Pholsen Natthajuks1、大槻 秀夫1、岩本 敏1,2 (1.東大先端研、2.東大生産研)
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[20p-A22-12]可視光領域におけるシングルモード α-Ga2O3導波路の作製と光導波の観測

〇(M2)飯嶋 航大1、大槻 秀夫1、池 尙玟2、神野 莉衣奈1,3、深津 晋3、岩本 敏1,2 (1.東大先端研、2.東大生産研、3.東大院総合文化)
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[20p-A22-13]酸化ガリウムを用いたフォトニック結晶ナノビーム共振器の設計

〇全 濟旭1、飯嶋 航大1、原田 直1、池 尙玟2、神野 莉衣奈1、岩本 敏1,2 (1.東大先端研、2.東大生産研)
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