[20p-A22-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:30 〜 15:45

[20p-A22-10] β-Ga₂O₃ における塩素系ドライエッチングによるキャリアプロファイル異常とその可動性

〇上村 崇史¹、東脇 正高^1,2 (1.情通機構、2.大阪公立大院工)

キーワード：

酸化ガリウム、欠陥、MOS キャパシタ

Si イオン注入した β-Ga₂O₃ (010) 基板表面に BCl₃ RIE 処理を行った後、MOS キャパシタを作製し、そのキャリアプロファイル (N_d - N_a) を評価した。N_d - N_a の深さ分布は SRIM 計算値を大きく下回り、さらに、N_d - N_a の深さ分布は負バイアス印加と光照射により変化した。この結果は、RIE プロセスで誘起された欠陥がSi ドナーの不活性化へ関与し、その欠陥が可動性を持つことを示唆している。