[20p-A22-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13:30 〜 13:45

[20p-A22-3] 液相エピタキシー法によるSnドープβ-Ga₂O₃エピタキシャル膜の育成

〇陳 智ジン¹、田所 弘晃¹、大下倉 太朗¹、宮本 美幸¹、印南 享¹、嘉村 輝雄¹ (1.三菱ガス化学)

キーワード：

酸化ガリウム、液相エピタキシー、ワイドバンドギャップ

β-Ga₂O₃は広いバンドギャップを持ちながら融液法による育成が可能な結晶である。液相成長法の一つである液相エピタキシー（LPE）法は熱平衡に近い状態で結晶を基板上にエピタキシャル成長できるため、高品位な結晶を高速で得ることができる。著者らはβ-Ga₂O₃基板にLPE法を適用したホモエピタキシャル成長を既に報告した。本発表ではLPE法を用いたβ-Ga₂O₃エピタキシャル膜の育成において、ドナー性ドーパントであるSnをドープした結果を報告する。