[20p-A22-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13:45 〜 14:00

[20p-A22-4] HVPE 法による(011)面 β-Ga₂O₃基板上のホモエピタキシャル成長

〇江間 研太郎¹、林 家弘¹、上田 悠貴¹、佐々木 公平¹、倉又 朗人¹ (1.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：

酸化ガリウム、ハライド気相成長法、パワーデバイス

(011)面上における成長では(001)面と比較してClおよびSiの取り込みが減少していることが確認され、残留ドナー濃度を低減できる面方位として期待されることが分かった。また、表面モフォロジーは(001)面とは異なることが確認され、(001)面に見られる深いピットや縞状の成長は観察されなかった。一方で、(011)面にも特有の異常成長が確認されており、当日はこれら異常成長を低減させたエピウエハに作成したSBDの電気的特性についても報告する。