[20p-A22-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:00 〜 14:15

[20p-A22-5] β-Ga₂O₃ HVPEエピウエハの活性化アニール条件検討

〇林 家弘¹、尾林 賢郷¹、西河 巴賀¹、江間 研太郎¹、山下 佳弘¹、佐々木 公平¹、倉又 朗人¹ (1.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：

酸化ガリウム、ハライド気相成長法、活性化アニール

HVPE成長中は、β-Ga₂O₃基板が酸素雰囲気に晒されるため、成膜中に基板のドナー濃度が低下する。そのため、成膜後に不活性雰囲気でのアニール処理が必須である。本研究では、アニール条件と活性化率、熱分解量、ショットキーバリアダイオードのオン抵抗への影響を調査した。