[20p-A22-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:45 〜 15:00

[20p-A22-7] 垂直ブリッジマン法による β-Ga₂O₃ 基板結晶のX 線トポグラフィによる欠陥解析

〇山口 博隆¹、加藤 有香子¹、五十嵐 拓也²、上田 悠貴²、輿 公祥²、渡辺 信也²、山腰 茂伸²、倉又 朗人² (1.産総研、2.(株)ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：

ワイドギャップ半導体、結晶成長、X線トポグラフィ