[20p-A22-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:00 〜 15:15

[20p-A22-8] MOCVD 法で成膜した(001)面 β-Ga₂O₃の縦型パワーデバイス実証

〇江間 研太郎¹、佐々木 公平¹、倉又 朗人¹ (1.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：

酸化ガリウム、有機金属気相成長法、パワーデバイス

MOCVD法は化合物半導体の成膜工程において広く用いられる手法である。本研究では、MOCVD法を用いて成長速度3.4 μm/hで成膜した(001)面β-Ga₂O₃基板上のエピ膜のSIMS分析において、HやC、Siといった不純物濃度がバックグラウンドレベルであり、(001)面上に高純度なエピ膜が成膜できることが確認された。さらに、このエピウエハ上にSBDを作製し、電気的特性も評価したので報告する。