[20p-A22-1~13] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:15 〜 15:30

[20p-A22-9] MBE 法による NiO/β-Ga₂O₃ ヘテロ接合技術の開発

〇山口 博隆¹、反保 衆志¹、永井 武彦¹、中田 義昭²、佐々木 公平² (1.産総研、2.(株)ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：

ワイドギャップ半導体