セッション詳細

[20p-A31-1~14]17.3 層状物質

2024年9月20日(金) 13:15 〜 17:00
A31 (朱鷺メッセ3F)
山本 真人(関大)

[20p-A31-1]軟質ポリ塩化ビニルを用いたサスペンド原子層構造作製法

〇小野寺 桃子1、安宅 学1、張 奕勁1、守谷 頼1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、年吉 洋1、町田 友樹1 (1.東大生研、2.物材機構)
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[20p-A31-2]導電性AFMを利用したCVD成長単層WSe2の点欠陥評価

〇(M1)澤井 悠太1、遠藤 尚彦1、宮田 耕充1 (1.都立大理)
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[20p-A31-3]マイカ基板上に成長した単層MoSe2の発光特性

〇遠藤 尚彦1、張 文金1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、宮田 耕充1 (1.都立大理、2.物材機構)
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[20p-A31-4]hBN基板上ヤヌスWSSe/WSe2ヘテロ二層の発光特性

〇小川 朋也1、張 文金1、中條 博史2,3,4、青木 颯馬2,3、浦野 裕斗5、遠藤 尚彦1、中西 勇介1、渡邊 賢司5、谷口 尚5、加藤 俊顕2,3、北浦 良5、宮田 耕充1 (1.都立大理、2.東北大工、3.東北大 AIMR、4.KOKUSAI ELECTRIC(株)、5.物材機構)
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[20p-A31-5]強誘電リモートドーピングによる単層MoS2のキャリア変調およびh-BN中間層による遮蔽効果

〇栄 凱蓬1、野呂 諒介2、西垣 颯人2、丁 明达2、姚 瑶2、井ノ上 泰輝2、片山 竜二2、小林 慶裕2、松田 一成3、毛利 真一郎1 (1.立命館大理工、2.阪大工、3.京大エネ研)
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[20p-A31-6]In-situ-ALD-Al2O3越しにSVAを施したPVD-MoS2

〇野澤 俊輔1、岡村 俊吾1、松永 尚樹1、黒原 啓太1、若林 整1 (1.東工大)
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[20p-A31-7]WSe2上におけるF6-TCNNQ単分子層形成評価

〇松田 健生1、小島 拓也1、野口 裕士1、柯 梦南1、熊谷 翔平2、岡本 敏宏2、青木 伸之1 (1.千葉大院、2.東工大院)
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[20p-A31-8]二次元半導体材料の界面準位密度評価手法

〇(M1)佐藤 優1、蓮沼 隆1 (1.筑波大)
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[20p-A31-9]層状ヒ化ゲルマニウム膜の熱酸化による膜厚制御

〇蓮見 歩太1,2、浦上 法之1,2、橋本 佳男1,2 (1.信州大工、2.信州大 先鋭材料研)
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[20p-A31-10]二次元層状金属NbS2の実効仕事関数評価

〇堀 幸妃1,2、張 文馨1、入沢 寿史1、小椋 厚志2,3、岡田 直也1 (1.産総研、2.明治大、3.明治大MREL)
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[20p-A31-11]TMDC膜質のIn-situ-ALD-Al2O3カバー成膜時基板温度依存性

〇布施 太翔1、松永 尚樹1、岡村 俊吾1、黒原 啓太1、伊東 壮真1、野澤 俊輔1、白倉 孝典1、若林 整1 (1.東工大)
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[20p-A31-12]局所的な曲率構造を有するヤヌスWSSe面内ヘテロ系のエネルギー論と電子状態

〇丸山 実那1、岡田 晋1、高 燕林1 (1.筑波大数理)
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[20p-A31-13]CVD-monolayer MoS2 MISキャパシタにおける接触電極の形状依存性

〇鶴岡 大樹1、遠藤 尚彦2、宮田 耕充2、青木 伸之1、柯 梦南1 (1.千葉大工、2.東京都立大)
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[20p-A31-14]熱電応用のためのWTe2ナノワイヤの合成及び性能評価

〇(M1C)伊瀬 亘1、横倉 聖也1,2、和泉 廣樹1,2、島田 敏宏1,2 (1.北大院総化、2.北大院工)
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