[20p-A31-1~14] 17.3 層状物質

16:00 〜 16:15

[20p-A31-11] TMDC膜質のIn-situ-ALD-Al₂O₃カバー成膜時基板温度依存性

〇布施 太翔¹、松永 尚樹¹、岡村 俊吾¹、黒原 啓太¹、伊東 壮真¹、野澤 俊輔¹、白倉 孝典¹、若林 整¹ (1.東工大)

キーワード：

遷移金属ダイカルコゲナイド、原子層堆積法、スパッタ法

遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC) は薄膜においても高い移動度を持つため、次世 代半導体として期待されている。一方、Al₂O₃ 絶縁膜の形成で用いられる原子層堆積法 (ALD)では、H₂OプリカーサーによってTMDC 膜を酸化することが報告されている。そこでin-situ-ALD による Al₂O₃カバー成膜について、 TMDC膜質の基板温度依存性を調査した。