[20p-A31-1~14] 17.3 層状物質

14:30 〜 14:45

[20p-A31-6] In-situ-ALD-Al₂O₃越しにSVAを施したPVD-MoS₂膜

〇野澤 俊輔¹、岡村 俊吾¹、松永 尚樹¹、黒原 啓太¹、若林 整¹ (1.東工大)

キーワード：

遷移金属ダイカルコゲナイド、スパッタリング、MoS2

トランジスタの微細化が進むにつれてシリコンの移動度は低下するため次世代FETの新たなチャネル材料としてMoS₂膜が注目されている。FETの作製ではその上にHigh-k膜を堆積する必要があるが、MoS₂膜を堆積後にex-situでAl₂O₃を堆積するとMoS₂膜の表面が酸化されて膜質が劣化する懸念がある。そこで本研究ではMoS₂膜をスパッタ法により堆積した後、in-situでAl₂O₃膜をALD法により成膜した試料とex-situにより同様に成膜したMoS₂膜の結晶性の比較をし、in-situの有効性を調査した。