[20p-A31-1~14] 17.3 層状物質

15:15 〜 15:30

[20p-A31-8] 二次元半導体材料の界面準位密度評価手法

〇(M1)佐藤 優¹、蓮沼 隆¹ (1.筑波大)

キーワード：

二次元チャネル、界面準位

二次元半導体材料の界面準位密度の定量的な測定方法を考案した。Si/SiO₂基板のSiO₂上に二次元半導体膜を形成し、その上に接地したソース電極と浮遊したドレイン電極を堆積したFETを用いる。デバイスのオン・オフ状態におけるソース電極とチャネル間のキャリアの流入・放出の時定数の差は、界面準位からのキャリアの放出過程の時定数によるものである。チャネル電位の時間変化の測定により界面準位のエネルギー分布を調べることができる。