セッション詳細

[20p-A35-1~9]3.12 半導体光デバイス

2024年9月20日(金) 13:30 〜 16:00
A35 (朱鷺メッセ3F)
太田 泰友(慶大)、 下村 和彦(上智大)

[20p-A35-1]部分的な利得領域を有する円形共振器のモード解析

〇福嶋 丈浩1 (1.岡山県立大情報工)
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[20p-A35-2]InP/Si 基板上SCH - MQW レーザの井戸層厚とボイド密度依存性

〇黒井 瑞生1、矢田 涼介1、趙 亮1、下村 和彦1 (1.上智大理工)
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[20p-A35-3]中央配置可飽和吸収体量子ドットモードロックレーザの特性評価

〇簗瀬 智史1,2、赤羽 浩一2、松本 敦2、梅沢 俊匡2、山本 直克2、前田 智弘1,2、外林 秀之1 (1.青学大理工、2.NICT)
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[20p-A35-4]単一CsPbBr3ペロブスカイトナノ結晶の電界発光の観測

〇(DC)高木 虎之介1、大曲 駿1、バッハ マーティン1 (1.東工大物質理工)
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[20p-A35-5]粒子加速器用10kV級SiC光伝導スイッチの応答速度評価

〇川崎 泰介1、安田 浩昌1、吉田 光宏2,3,4、ヤヒア ヴァンサン4,3、平等 拓範3,4、木村 重哉5、太田 千春5、宮崎 久夫5 (1.東芝エネルギーシステムズ、2.高エネ研、3.理研、4.分子研、5.東芝)
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[20p-A35-6]二波長注入された半導体光増幅器における光励起効果

〇長沢 海斗1、猪口 泰利1、鄭 和翊1 (1.東海大理)
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[20p-A35-7]静電噴霧法による量子ドット薄膜の作製とその評価

〇原 郁弥1、大谷 直毅1 (1.同志社大)
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[20p-A35-8]シロキサン系樹脂を用いた熱制御転写プリント集積の検討

〇赤星 颯麻1、安池 伸夫2、西村 達哉2、岡田 敬2、藤田 晃成1、太田 泰友1 (1.慶大理工、2.JSR株式会社)
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[20p-A35-9]プラズマ表面処理を援用した転写プリント集積の検討

〇(M1)立崎 裕真1、赤星 颯麻1、藤田 晃成1、荒川 泰彦2、太田 泰友1 (1.慶應理工、2.東大ナノ量子)
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