[20p-B3-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

13:00 〜 13:15奨励賞エントリー

[20p-B3-1] 電極/Nb:SrTiO₃接合の光応答特性における表-裏面レーザー照射の比較

〇佐田 晋¹、鄭 雨萌¹、木下 健太郎¹ (1.東理大先進工)

キーワード：

光応答、抵抗変化メモリ、緩和

ITO/低Nb 濃度の0.1 wt% NbドープSTO接合を作製し、表裏照射の光応答特性を比較することで、表面照射と裏面照射の同等性を検証した。その結果、光誘起電流の緩和過程における規格化電流の時間依存性が一致したことから、光誘起電流の緩和過程が表面照射と裏面照射で同一の機構に支配されていることが示唆された。このことは、今後の機構解明に電極の自由選択が許される裏面照射測定が可能であることを示す。