セッション詳細

[20p-B3-1~15]6.3 酸化物エレクトロニクス

2024年9月20日(金) 13:00 〜 17:00
B3 (展示ホールB)
内藤 泰久(産総研)、 大野 武雄(大分大)

[20p-B3-1]電極/Nb:SrTiO3接合の光応答特性における表-裏面レーザー照射の比較

〇佐田 晋1、鄭 雨萌1、木下 健太郎1 (1.東理大先進工)
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[20p-B3-2]ICTS法による金属/Nb:SrTiO3接合の界面状態と電圧―電流特性の解明

〇鄭 雨萌1、木下 健太郎1 (1.東京理科大)
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[20p-B3-3]Pt/Nb:SrTiO3接合における電流緩和特性の制御に向けた界面準位の評価

〇瀬戸 大雅1、大谷 亮介1、佐田 晋1、鄭 雨萌1、木下 健太郎1 (1.東理大先進工)
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[20p-B3-4]CeRAM応用に向けたNiO薄膜のミストCVD成膜と室温・高温におけるモット転移現象の電気特性評価

〇池田 守1、吾妻 正道1、宮本 翼1、西中 浩之1 (1.京工繊電子)
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[20p-B3-5]第一原理計算によるルチル型TiO2中の酸素空孔挙動及び剪断面構造の外部電場依存性解析

〇(M2)小泉 優紀1、DIAO ZHUO1、藤平 哲也1、酒井 朗1 (1.阪大院基礎工)
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[20p-B3-6]Pt/TiO2薄膜モデル触媒における酸素空孔分布とPtの電子状態

〇鈴木 隆玄1、北條 元1、永長 久寛1 (1.九大院総理工)
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[20p-B3-7]ミスト CVD 法によるサファイア基板上エピタキシャル VO2 薄膜の作製

〇森永 亞郎1、池之上 卓己1、三宅 正男1 (1.京大院エネ科)
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[20p-B3-8]ミストCVDによるスマートウインドウに向けた石英基板上へのNドープVO2薄膜の形成及び物性評価

〇(M2)加納 大成1、西中 浩之1 (1.京工繊大)
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[20p-B3-9]Detection of Kidney disorder based on pulsed laser deposited WO3 nanowire gas sensor

〇(M2)Keying Huang1, Sankar Ganesh Ramaraj1, Chuanlai Zang1, Hiroyasu Yamahara1, Hitoshi Tabata1 (1.Tokyo Univ.)
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[20p-B3-10]多元系n型酸化物半導体薄膜を用いる透明ReRAMにおけるZnO抵抗変化層へのドーピング効果の検討

〇木村 京介1、寺澤 楽徒1、吉田 将真1、宮田 俊弘1 (1.金工大)
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[20p-B3-11]単結晶hBN上に作製したマイクロ狭窄 VO2素子における局所的な電流誘起抵抗スイッチ

〇(M2)冨田 雄揮1、中払 周2、若山 裕3、渡邉 賢治3、谷口 尚3、李 好博1、服部 梓1、田中 秀和1 (1.阪大産研、2.東京工科大学、3.物質・材料機構)
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[20p-B3-12]CeRAMに向けたミストCVDによる炭素ドープHfOx薄膜のモット転位スイッチング

〇吾妻 正道1,2、池田 守1、宮本 翼1、西中 浩之1 (1.京都工繊大、2.シンメトリクス)
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[20p-B3-13]ナノギャップIGZO水素ガスセンサー

〇矢澤 卓1、井手 啓介1,2、伊澤 誠一郎1、神谷 利夫1,2、真島 豊1 (1.東工大フロ研、2.東工大元素セ)
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[20p-B3-14]原子拡散を用いたp-n接合CuOナノワイヤの作製とセンサ性能評価

〇木村 由斉1、燈明 泰成1 (1.東北大院工)
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[20p-B3-15]Van der Waals Interactions Between Non-polar Alkyl Chains and Polar Oxide Surfaces Prevent Catalyst Deactivation in Aldehyde Gas Sensing

中村 健太郎1、高橋 綱己1、細見 拓郎1、田中 航1、〇柳田 剛1 (1.東大応化)
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