[20p-B3-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

16:00 〜 16:15

[20p-B3-12] CeRAMに向けたミストCVDによる炭素ドープHfOx薄膜のモット転位スイッチング

〇吾妻 正道^1,2、池田 守¹、宮本 翼¹、西中 浩之¹ (1.京都工繊大、2.シンメトリクス)

キーワード：

モット転移、CeRAM、酸化ハフニウム薄膜

遷移金属酸化物薄膜に炭素をドープすることでバンド構造が変化してバンドギャップが大きく減少する。これにより、電気的にモット転移による金属-絶縁体の非極性スイッチング現象が可能となる。この現象を利用した抵抗変化メモリとして、強相関電子ランダムアクセスメモリ（CeRAM）が提案されている。本論では、大気圧下で成膜が可能なミストCVD法を用いて炭素をドープしたHfOx薄膜を作成し、CeRAM素子の動作を確認したので報告する。