[20p-B3-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

13:30 〜 13:45奨励賞エントリー

[20p-B3-3] Pt/Nb:SrTiO₃接合における電流緩和特性の制御に向けた界面準位の評価

〇瀬戸 大雅¹、大谷 亮介¹、佐田 晋¹、鄭 雨萌¹、木下 健太郎¹ (1.東理大先進工)

キーワード：

抵抗変化メモリ、電流緩和現象、ICTS法

金属/NSTOは電気刺激による学習が可能な素子としての応用が期待されている．電流緩和特性の緩和時間が学習対象となる信号の時間スケールを決定するため，緩和時間の制御方法の究明が急がれる．本研究では界面処理による界面状態の変化をICTS法を用いて評価し，電流緩和特性との関係を調査した．酸素欠陥量の増減により緩和特性の制御が可能であることが示唆され，ICTS法から界面状態に影響を及ぼすことが分かった．