[20p-B3-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[20p-B3-4] CeRAM応用に向けたNiO薄膜のミストCVD成膜と室温・高温におけるモット転移現象の電気特性評価

〇池田 守¹、吾妻 正道¹、宮本 翼¹、西中 浩之¹ (1.京工繊電子)

キーワード：

モット転移、不揮発性メモリ、酸化ニッケル薄膜

強相関電子メモリ(Correlated electron Random Access Memory : CeRAM)は炭素をドープした遷移金属酸化物薄膜により実現される電気的制御によるモット転移を用いた次世代不揮発性メモリである[1]。本メモリは極低温から高温までの広い動作温度範囲、高速動作、CMOSプロセスとの互換性などの利点を有する。先行研究ではスピンコート法によりCeRAMが実証されている。本研究では、三次元立体構造の被覆性に優れるミストCVDにより炭素ドープしたNiO薄膜を形成し、デバイスを作製した。室温および125℃での電流電圧測定からCeRAMの動作を確認したので報告する。
[1] C. A. Paz de Araujo et al., APL Mater. 10, 040904 (2022).