[20p-B3-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[20p-B3-8] ミストCVDによるスマートウインドウに向けた石英基板上へのNドープVO₂薄膜の形成及び物性評価

〇(M2)加納 大成¹、西中 浩之¹ (1.京工繊大)

キーワード：

スマートウインドウ、金属絶縁体転移、ミストCVD

二酸化バナジウム(VO₂)は金属絶縁体転移が約67℃で発生するとMorinによって報告されて以来、数多くの研究がなされてきた。近年金属絶縁体相転移に伴う赤外線透過率の変化を利用するスマートウインドウが注目されている。しかし、外気温より高い転移温度が実用化への課題となっている。そこで、本研究ではVO₂に対しNドープを行うことで転移温度を外気温近くまで変化させることを目的とした。