セッション詳細

[20p-C42-1~6]15.4 III-V族窒化物結晶

2024年9月20日(金) 13:30 〜 15:00
C42 (ホテル日航新潟 4F)
久志本 真希(名大)

[20p-C42-1]サファイア基板上AlNテンプレートの検討(1) -成長モード依存性-

〇奥野 浩司1,2、武藤 響己2、三浦 聖央2、大矢 昌輝1、齋藤 義樹1,2、石黒 永孝2、上山 智2、岩谷 素顕2、竹内 哲也2 (1.豊田合成㈱、2.名城大・理工)
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[20p-C42-2]サファイア基板上AlNテンプレートの検討(2) -AlGaN核形成層の効果-

〇奥野 浩司1,2、武藤 響己2、三浦 聖央2、大矢 昌輝1、齋藤 義樹1,2、石黒 永孝2、上山 智2、岩谷 素顕2、竹内 哲也2 (1.豊田合成㈱、2.名城大・理工)
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[20p-C42-3]サファイア基板上AlNテンプレートの検討(3)-基板剥離-

〇(M1)三浦 聖央1、藤田 真帆1、浜島 直紀1、岡 龍乃介1、竹久 哲平1、武藤 響己1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1、石黒 永孝1、奥野 浩司1,2、齋藤 義樹1,2 (1.名城大理工、2.豊田合成㈱)
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[20p-C42-4]固相成長により作製されたAlNバルク基板上のAlGaN系量子井戸構造の作製

〇井本 圭紀1、三宅 倫太郎1、山田 凌矢1、齋藤 巧夢1、丸山 竣大1、佐々木 祐輔1、狩野 祥吾1、岩山 章1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、佐藤 洋介2、阿閉 恭平2、野中 健太朗2 (1.名城大・理工、2.日本ガイシ(株))
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[20p-C42-5]AlN上分極ドープ組成傾斜AlGaN層の正孔濃度におけるMg添加の影響

〇竹久 哲平1、高畑 勇汰1、岡 龍乃介1、武藤 響己1、浜島 直紀1、三浦 聖央1、石黒 永孝1、岩谷 素顕1、上山 智1、竹内 哲也1、齋藤 義樹2、奥野 浩司2 (1.名城大理工、2.豊田合成)
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[20p-C42-6]半極性AlN(10-13)成長におけるm面サファイア基板の傾斜効果

〇沈 旭強1、児島 一聡1 (1.産総研)
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