[20p-C43-1~11] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

13:15 〜 13:30

[20p-C43-2] ナノカーボンの触媒作用を援用した半導体表面の選択エッチング
－エッチング液と接触する触媒／半導体界面での正孔注入と拡散制御の試み－

〇山本 聖也¹、李 君寰¹、稲垣 耕司¹、有馬 健太¹ (1.阪大院工)

キーワード：

グラフェン触媒、エッチング、酸化還元反応

我々は，O₂溶解水中でナノカーボンと接触するGe表面が選択的にエッチングされる非金属型の触媒アシストエッチングを見出した．本報ではまず，H₂O₂をエッチング液に添加し，そのエッチング特性をO₂溶解水の場合と比較した．これを踏まえて，半導体基板の裏面にバイアス電圧を印可し，エッチングプロファイルを制御することを検討している．そこで，金属触媒等を配した半導体試料を用いて，バイアス印可を行った基礎実験を紹介する．