[20p-C43-1~11] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

13:45 〜 14:00

[20p-C43-4] 電子線照射により生成したSiO₂/Si界面欠陥分布の評価

〇清水 崚央¹、早田 康成¹、蓮沼 隆¹ (1.筑波大数理)

キーワード：

シリコン、電子線、半導体

電子線照射により発生したSiO₂/Si(111)界面欠陥の分布を調査した。超低溶存酸素水（LOW: ultralow-dissolved-oxygen water）によるSi表面平坦化処理によって欠陥分布を視覚化した。LOW処理後にAFM観察を行ったところ、欠陥はSi表面から約3 nmの深さの領域に発生することがわかった。この結果はSiO₂/Si界面近傍は熱酸化時に蓄積された応力により欠陥が発生しやすいことを示している。