[20p-C43-1~11] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

14:45 〜 15:00

[20p-C43-7] パターニングしたSi(111)基板上に成長したPドープ歪みSiGe/Geの電気伝導特性

〇武井 爽一郎¹、菊岡 柊¹、奥谷 惇¹、石橋 脩悟¹、山田 道洋¹、浜屋 宏平^2,3、澤野 憲太郎¹ (1.東京都市大学、2.阪大基礎工CSRN、3.阪大 OTRI)

キーワード：

移動度、SiGe